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TT8J13TCR

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LAPIS Semiconductor

TT8J13TCR के विनिर्देशों

LAPIS Semiconductor

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भाग संख्या	TT8J13TCR	उत्पादक	LAPIS Semiconductor
विवरण	MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8	लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस	लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा	382874 pcs stock	विवरण तालिका	1.TT8J13TCR.pdf2.TT8J13TCR.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	1V @ 1mA	प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-TSST
शृंखला	-	आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
पावर - मैक्स	1W	पैकेजिंग	Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण	8-SMD, Flat Lead	दुसरे नाम	TT8J13TCRTR
परिचालन तापमान	150°C (TJ)	माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)	निर्माता मानक लीड टाइम	10 Weeks
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति	Lead free / RoHS Compliant	इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	2000pF @ 6V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	16nC @ 4.5V	FET प्रकार	2 P-Channel (Dual)
FET फ़ीचर	Logic Level Gate, 1.5V Drive	स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	12V
विस्तृत विवरण	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 1W Surface Mount 8-TSST	वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस	2.5A

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