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EPC2105

EPC2105

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EPC

EPC2105 के विनिर्देशों

EPC

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भाग संख्या	EPC2105	उत्पादक	EPC
विवरण	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस	लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा	16253 pcs stock	विवरण तालिका	EPC2105.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA	प्रदायक डिवाइस पैकेज	Die
शृंखला	eGaN®	आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
पावर - मैक्स	-	पैकेजिंग	Original-Reel®
पैकेज / प्रकरण	Die	दुसरे नाम	917-1185-6
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)	माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)	निर्माता मानक लीड टाइम	14 Weeks
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति	Lead free / RoHS Compliant	इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V	FET प्रकार	2 N-Channel (Half Bridge)
FET फ़ीचर	GaNFET (Gallium Nitride)	स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	80V
विस्तृत विवरण	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die	वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस	9.5A, 38A

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